Epitaksi ya GaN yenye msingi wa silicon

Picha iliyoangaziwa ya GaN yenye msingi wa silicon

Maelezo Fupi:

Semicera Energy Technology Co., Ltd. ni muuzaji mkuu wa keramik za hali ya juu za semiconductor na mtengenezaji pekee nchini China anayeweza kutoa kauri ya silicon ya usafi wa hali ya juu (hasaImefanywa upya SiC) na mipako ya CVD SiC.Kwa kuongezea, kampuni yetu pia imejitolea katika nyanja za kauri kama vile alumina, nitridi ya alumini, zirconia, na nitridi ya silicon, nk.

Tutumie barua pepe

Maelezo ya Bidhaa

Lebo za Bidhaa

Maelezo ya bidhaa

Kampuni yetu hutoaMipako ya SiCmchakato wa huduma kwa njia ya CVD juu ya uso wa grafiti, keramik na vifaa vingine, ili gesi maalum zenye kaboni na silicon kuguswa katika joto la juu ili kupata usafi wa juu wa molekuli za SiC, molekuli zilizowekwa juu ya uso wa vifaa coated, na kutengeneza.Safu ya kinga ya SIC.

Sifa kuu:

1. Upinzani wa oxidation ya joto la juu:

upinzani wa oksidi bado ni mzuri sana wakati halijoto ni ya juu kama 1600 C.

2. Usafi wa juu : hutengenezwa na utuaji wa mvuke wa kemikali chini ya hali ya klorini ya joto la juu.

3. Upinzani wa mmomonyoko wa udongo: ugumu wa juu, uso wa compact, chembe nzuri.

4. Upinzani wa kutu: asidi, alkali, chumvi na vitendanishi vya kikaboni.

Maelezo kuu ya mipako ya CVD-SIC

SiC-CVD Sifa
Muundo wa Kioo	FCC awamu ya β
Msongamano	g/cm³	3.21
Ugumu	Ugumu wa Vickers	2500
Ukubwa wa Nafaka	μm	2 ~ 10
Usafi wa Kemikali	%	99.99995
Uwezo wa joto	J·kg-1 ·K-1	640
Joto la Usablimishaji	℃	2700
Nguvu ya Felexural	MPa (RT-pointi 4)	415
Modulus ya Vijana	Gpa (bend 4, 1300 ℃)	430
Upanuzi wa Joto (CTE)	10-6K-1	4.5
Conductivity ya joto	(W/mK)	300