Sehemu za Epitaxial za MOCVD

SiC iliyofunikwa kwa mchakato wa msingi wa grafiti wa SiC Coated Graphite Flygbolag
Epitaksi ya GaN yenye msingi wa silicon
Semiconductor SiC iliyopakwa diski ya epitaxial ya silicon ya monocrystalline
Susceptor ya Graphite yenye Mipako ya Silicon Carbide, Kibeba kaki cha inchi 8
Vipande 19 vya sehemu za vifaa vya 2 inch grafiti msingi MOCVD
Susceptor ya Graphite yenye Mipako ya Silicon Carbide, Vipande 6 Vibeba kaki ya inchi 6
Diski ya Silicon Carbide kwa MOCVD
Tray ya MOCVD yenye ubora wa juu wa kuzuia oxidation
Vipande 41 4 inch grafiti msingi sehemu za vifaa vya MOCVD
Vipande 36 vya sehemu za vifaa vya msingi vya grafiti vya inchi 4 vya MOCVD
Bluu/kijani LED epitaksia