Semiconductor Silicon msingi GaN epitaxy

Semiconductor Silicon kulingana na GaN epitaxy Iliyoangaziwa

Maelezo Fupi:

Semicera Energy Technology Co., Ltd. ni msambazaji anayeongoza wa kauri za hali ya juu za semiconductor na mtengenezaji pekee nchini China anayeweza kutoa kauri ya carbudi ya silicon ya usafi wa hali ya juu (hasa SiC Iliyorekebishwa) na mipako ya CVD SiC.Kwa kuongezea, kampuni yetu pia imejitolea katika nyanja za kauri kama vile alumina, nitridi ya alumini, zirconia, na nitridi ya silicon, nk.

Tutumie barua pepe

Maelezo ya Bidhaa

Lebo za Bidhaa

Maelezo ya bidhaa

Kampuni yetu hutoa huduma za mchakato wa mipako ya SiC kwa njia ya CVD kwenye uso wa grafiti, keramik na vifaa vingine, ili gesi maalum zilizo na kaboni na silicon kuguswa kwenye joto la juu ili kupata molekuli za SiC za usafi wa juu, molekuli zilizowekwa kwenye uso wa nyenzo zilizofunikwa, kutengeneza safu ya kinga ya SIC.

Sifa kuu:

1. Upinzani wa oxidation ya joto la juu:

upinzani wa oksidi bado ni mzuri sana wakati halijoto ni ya juu kama 1600 C.

2. Usafi wa juu : hutengenezwa na utuaji wa mvuke wa kemikali chini ya hali ya klorini ya joto la juu.

3. Upinzani wa mmomonyoko wa udongo: ugumu wa juu, uso wa compact, chembe nzuri.

4. Upinzani wa kutu: asidi, alkali, chumvi na vitendanishi vya kikaboni.

Maelezo kuu ya mipako ya CVD-SIC

SiC-CVD Sifa
Muundo wa Kioo	FCC awamu ya β
Msongamano	g/cm³	3.21
Ugumu	Ugumu wa Vickers	2500
Ukubwa wa Nafaka	μm	2 ~ 10
Usafi wa Kemikali	%	99.99995
Uwezo wa joto	J·kg-1 ·K-1	640
Joto la Usablimishaji	℃	2700
Nguvu ya Felexural	MPa (RT-pointi 4)	415
Modulus ya Vijana	Gpa (bend 4, 1300 ℃)	430
Upanuzi wa Joto (CTE)	10-6K-1	4.5
Conductivity ya joto	(W/mK)	300