【 Maelezo ya muhtasari 】 Katika kisasa C, N, B na nyingine zisizo oksidi high-tech malighafi kinzani, shinikizo anga sinteredsilicon carbudini pana na ya kiuchumi, na inaweza kusemwa kuwa ni mchanga wa emery au kinzani.Safisilicon carbudini fuwele ya uwazi isiyo na rangi.Kwa hivyo ni nini muundo na sifa za nyenzosilicon carbudi?
Muundo wa nyenzo wa shinikizo la anga la sinteredsilicon carbudi:
Shinikizo la anga lilipunguasilicon carbudikutumika katika sekta ni mwanga njano, kijani, bluu na nyeusi kulingana na aina na maudhui ya uchafu, na usafi ni tofauti na uwazi ni tofauti.Muundo wa kioo wa CARBIDE wa silicon umegawanywa katika plutonium yenye umbo la maneno sita au almasi na plutonium-sic ya ujazo.Plutonium-sic huunda aina mbalimbali za deformation kutokana na mpangilio tofauti wa kutundika wa atomi za kaboni na silikoni katika muundo wa fuwele, na zaidi ya aina 70 za deformation zimepatikana.beta-SIC inabadilika hadi alpha-SIC zaidi ya 2100. Mchakato wa viwanda wa carbudi ya silicon husafishwa kwa mchanga wa quartz wa ubora wa juu na coke ya petroli katika tanuru ya upinzani.Vitalu vya CARBIDE vya silicon vilivyosafishwa hupondwa, kusafisha msingi wa asidi, kutenganisha sumaku, uchunguzi au uteuzi wa maji ili kutoa aina mbalimbali za bidhaa za ukubwa wa chembe.
Tabia za nyenzo za shinikizo la angasintered silicon carbudi:
Silicon CARBIDE ina uimara mzuri wa kemikali, conductivity ya mafuta, mgawo wa upanuzi wa mafuta, upinzani wa kuvaa, hivyo pamoja na matumizi ya abrasive, kuna matumizi mengi: Kwa mfano, poda ya silicon ya CARBIDE imepakwa kwenye ukuta wa ndani wa turbine au kizuizi cha silinda. mchakato maalum, ambayo inaweza kuboresha upinzani kuvaa na kupanua maisha ya mara 1 hadi 2.Imetengenezwa kwa sugu ya joto, saizi ndogo, uzani mwepesi, nguvu ya juu ya vifaa vya kinzani vya hali ya juu, ufanisi wa nishati ni mzuri sana.Kabidi ya silicon ya kiwango cha chini (ikijumuisha takriban 85% SiC) ni kiondoa oksijeni bora kwa kuongeza kasi ya utengenezaji wa chuma na kudhibiti kwa urahisi utungaji wa kemikali ili kuboresha ubora wa chuma.Kwa kuongeza, shinikizo la anga la sintered silicon carbudi pia hutumiwa sana katika utengenezaji wa sehemu za umeme za vijiti vya kaboni vya silicon.
Silicon carbudi ni ngumu sana.Ugumu wa Morse ni 9.5, pili baada ya almasi ngumu duniani (10), ni semiconductor yenye conductivity bora ya mafuta, inaweza kupinga oxidation kwenye joto la juu.Silicon carbide ina angalau aina 70 za fuwele.Plutonium-silicon carbide ni isomeri ya kawaida ambayo huunda kwenye joto zaidi ya 2000 na ina muundo wa fuwele wa hexagonal (sawa na wurtzite).Sintered silicon carbudi chini ya shinikizo la anga
Maombi yasilicon carbudikatika tasnia ya semiconductor
Mlolongo wa tasnia ya semiconductor ya silicon carbide hujumuisha hasa poda ya silicon carbudi high-purity, substrate ya kioo moja, karatasi ya epitaxial, vipengele vya nguvu, ufungaji wa moduli na matumizi ya terminal.
1. Sehemu ndogo ya fuwele moja ni nyenzo tegemezi ya semicondukta, nyenzo tendaji na sehemu ndogo ya ukuaji wa epitaxial.Kwa sasa, mbinu za ukuaji wa fuwele moja ya SiC ni pamoja na njia ya kuhamisha mvuke halisi (mbinu ya PVT), njia ya awamu ya kioevu (mbinu ya LPE), na njia ya uwekaji wa mvuke ya kemikali ya joto la juu (mbinu ya HTCVD).Sintered silicon carbudi chini ya shinikizo la anga
2. Laha ya Epitaxial Karatasi ya epitaksia ya Silicon CARBIDE, karatasi ya silicon ya CARBIDE, filamu moja ya fuwele (safu ya epitaxial) yenye mwelekeo sawa na fuwele ya substrate ambayo ina mahitaji fulani kwa substrate ya silicon ya CARBIDE.Katika matumizi ya vitendo, vifaa vya semicondukta ya pengo pana karibu vyote vinatengenezwa katika safu ya epitaxial, na chipu ya silicon yenyewe hutumiwa tu kama substrate, ikiwa ni pamoja na substrate ya safu ya epitaxial ya GaN.
3. Poda ya kaboni ya silicon iliyo na usafi wa hali ya juu ya unga wa kaboni ya silicon iliyo na usafi wa hali ya juu ni malighafi kwa ajili ya ukuaji wa fuwele moja ya silicon CARBIDE kwa njia ya PVT, na usafi wa bidhaa huathiri moja kwa moja ubora wa ukuaji na sifa za umeme za fuwele moja ya silicon CARBIDE.
4. Kifaa cha nguvu ni nguvu ya bendi pana iliyofanywa kwa nyenzo za silicon carbudi, ambayo ina sifa ya joto la juu, mzunguko wa juu na ufanisi wa juu.Kwa mujibu wa fomu ya uendeshaji ya kifaa, kifaa cha umeme cha SiC hasa kinajumuisha diode ya nguvu na tube ya kubadili nguvu.
5. Terminal Katika matumizi ya kizazi cha tatu cha semiconductor, halvledare kabonidi ya silicon ina faida ya kuwa inayosaidiana na halvledare nitridi ya gallium.Kutokana na ufanisi wa juu wa uongofu, sifa za kupokanzwa chini, nyepesi na faida nyingine za vifaa vya SiC, mahitaji ya sekta ya chini ya mto yanaendelea kuongezeka, na kuna mwelekeo wa kuchukua nafasi ya vifaa vya SiO2.
Muda wa kutuma: Oct-16-2023