Semiconductor SiC iliyopakwa diski ya epitaxial ya silicon ya monocrystalline

Semiconductor SiC iliyopakwa diski ya silikoni ya monocrystalline epitaxial Picha Iliyoangaziwa

Maelezo Fupi:

Semicera Energy Technology Co., Ltd ni muuzaji anayeongoza aliyebobea kwa kaki na vifaa vya matumizi vya hali ya juu vya semiconductor.Tumejitolea kutoa bidhaa za hali ya juu, za kuaminika, na za ubunifu kwa utengenezaji wa semiconductor,sekta ya photovoltaicna nyanja zingine zinazohusiana.

Laini ya bidhaa zetu ni pamoja na bidhaa za grafiti zilizopakwa za SiC/TaC na bidhaa za kauri, zinazojumuisha vifaa mbalimbali kama vile silicon carbudi, nitridi ya silicon, na oksidi ya alumini na nk.

Kama msambazaji anayeaminika, tunaelewa umuhimu wa bidhaa za matumizi katika mchakato wa utengenezaji, na tumejitolea kuwasilisha bidhaa zinazokidhi viwango vya ubora wa juu zaidi ili kutimiza mahitaji ya wateja wetu.

Tutumie barua pepe

Maelezo ya Bidhaa

Lebo za Bidhaa

Maelezo

Kampuni yetu hutoaMipako ya SiCmchakato wa huduma kwa njia ya CVD juu ya uso wa grafiti, keramik na vifaa vingine, ili gesi maalum zenye kaboni na silicon kuguswa katika joto la juu ili kupata usafi wa juu wa molekuli za SiC, molekuli zilizowekwa juu ya uso wa vifaa coated, na kutengeneza.Safu ya kinga ya SIC.

Karatasi ya epitaxial ya silicon ya monocrystalline

Sifa kuu

1. Upinzani wa oxidation ya joto la juu:
upinzani wa oksidi bado ni mzuri sana wakati halijoto ni ya juu kama 1600 C.
2. Usafi wa hali ya juu: hufanywa na uwekaji wa mvuke wa kemikali chini ya hali ya joto ya juu ya klorini.
3. Upinzani wa mmomonyoko wa udongo: ugumu wa juu, uso wa compact, chembe nzuri.
4. Upinzani wa kutu: asidi, alkali, chumvi na vitendanishi vya kikaboni.

Maelezo kuu ya mipako ya CVD-SIC

SiC-CVD Sifa
Muundo wa Kioo	FCC awamu ya β
Msongamano	g/cm³	3.21
Ugumu	Ugumu wa Vickers	2500
Ukubwa wa Nafaka	μm	2 ~ 10
Usafi wa Kemikali	%	99.99995
Uwezo wa joto	J·kg-1 ·K-1	640
Joto la Usablimishaji	℃	2700
Nguvu ya Felexural	MPa (RT-pointi 4)	415
Modulus ya Vijana	Gpa (bend 4, 1300 ℃)	430
Upanuzi wa Joto (CTE)	10-6K-1	4.5
Conductivity ya joto	(W/mK)	300