Kama moja ya vipengele vya msingi vyaVifaa vya MOCVD, msingi wa grafiti ni carrier na mwili wa kupokanzwa wa substrate, ambayo huamua moja kwa moja usawa na usafi wa nyenzo za filamu, hivyo ubora wake huathiri moja kwa moja utayarishaji wa karatasi ya epitaxial, na wakati huo huo, na ongezeko la idadi ya matumizi na mabadiliko ya hali ya kazi, ni rahisi sana kuvaa, mali ya matumizi.
Ingawa grafiti ina conductivity bora ya mafuta na utulivu, ina faida nzuri kama sehemu ya msingi yaVifaa vya MOCVD, lakini katika mchakato wa uzalishaji, grafiti itaharibu poda kutokana na mabaki ya gesi za babuzi na viumbe vya metali, na maisha ya huduma ya msingi wa grafiti yatapungua sana.Wakati huo huo, poda ya grafiti inayoanguka itasababisha uchafuzi wa chip.
Kuibuka kwa teknolojia ya mipako inaweza kutoa urekebishaji wa poda ya uso, kuimarisha conductivity ya mafuta, na kusawazisha usambazaji wa joto, ambayo imekuwa teknolojia kuu ya kutatua tatizo hili.Msingi wa grafiti ndaniVifaa vya MOCVDmazingira ya matumizi, mipako ya msingi ya grafiti inapaswa kukidhi sifa zifuatazo:
(1) Msingi wa grafiti unaweza kufungwa kikamilifu, na wiani ni mzuri, vinginevyo msingi wa grafiti ni rahisi kuharibiwa katika gesi ya babuzi.
(2) Nguvu ya mchanganyiko na msingi wa grafiti ni ya juu ili kuhakikisha kwamba mipako si rahisi kuanguka baada ya mizunguko kadhaa ya joto la juu na joto la chini.
(3) Ina uthabiti mzuri wa kemikali ili kuzuia kushindwa kwa mipako katika halijoto ya juu na angahewa yenye babuzi.
SiC ina faida za upinzani kutu, conductivity ya juu ya mafuta, upinzani wa mshtuko wa joto na utulivu wa juu wa kemikali, na inaweza kufanya kazi vizuri katika anga ya epitaxial ya GaN.Kwa kuongeza, mgawo wa upanuzi wa joto wa SiC hutofautiana kidogo sana na ule wa grafiti, hivyo SiC ni nyenzo inayopendekezwa kwa ajili ya mipako ya uso wa msingi wa grafiti.
Kwa sasa, SiC ya kawaida ni hasa aina ya 3C, 4H na 6H, na matumizi ya SiC ya aina tofauti za fuwele ni tofauti.Kwa mfano, 4H-SiC inaweza kutengeneza vifaa vya juu vya nguvu;6H-SiC ni imara zaidi na inaweza kutengeneza vifaa vya kupiga picha;Kwa sababu ya muundo wake sawa na GaN, 3C-SiC inaweza kutumika kutengeneza safu ya epitaxial ya GaN na kutengeneza vifaa vya SiC-GaN RF.3C-SiC pia inajulikana kamaβ-SiC, na matumizi muhimu yaβ-SiC ni kama nyenzo ya filamu na mipako, hivyoβ-SiC kwa sasa ni nyenzo kuu ya mipako.
Muda wa kutuma: Nov-06-2023