Katika uwanja wa kisasa wa teknolojia ya elektroniki, vifaa vya semiconductor vina jukumu muhimu.Miongoni mwao, silicon CARBIDE (SiC) kama nyenzo pana ya semiconductor ya pengo la bendi, na faida zake bora za utendaji, kama vile uwanja wa umeme wa kuvunjika, kasi ya juu ya kueneza, conductivity ya juu ya mafuta, nk, hatua kwa hatua inakuwa lengo la watafiti na wahandisi.Diski ya epitaxial ya silicon carbide, kama sehemu yake muhimu, imeonyesha uwezo mkubwa wa matumizi.
一、utendaji wa diski ya epitaxial: faida kamili
1. Sehemu ya umeme iliyoharibika sana: ikilinganishwa na vifaa vya jadi vya silicon, sehemu ya umeme iliyoharibika ya silicon carbudi ni zaidi ya mara 10.Hii ina maana kwamba chini ya hali sawa ya voltage, vifaa vya umeme vinavyotumia diski za epitaxial za silicon carbide vinaweza kuhimili mikondo ya juu, na hivyo kuunda vifaa vya umeme vya juu-voltage, high-frequency, high-nguvu.
2. Kasi ya kueneza kwa kasi: kasi ya kueneza ya carbudi ya silicon ni zaidi ya mara 2 ya silicon.Kufanya kazi kwa joto la juu na kasi ya juu, diski ya epitaxial ya silicon carbide hufanya vizuri zaidi, ambayo inaboresha kwa kiasi kikubwa utulivu na uaminifu wa vifaa vya umeme.
3. Ufanisi mkubwa wa conductivity ya mafuta: conductivity ya mafuta ya carbudi ya silicon ni zaidi ya mara 3 ya silicon.Kipengele hiki huruhusu vifaa vya kielektroniki kusambaza joto vyema wakati wa operesheni inayoendelea ya nguvu ya juu, na hivyo kuzuia kuongezeka kwa joto na kuboresha usalama wa kifaa.
4. Uthabiti bora wa kemikali: katika mazingira yaliyokithiri kama vile joto la juu, shinikizo la juu na mionzi yenye nguvu, utendaji wa silicon carbudi bado ni thabiti kama hapo awali.Kipengele hiki huwezesha diski ya silicon carbide epitaxial kudumisha utendakazi bora katika uso wa mazingira changamano.
二, mchakato wa utengenezaji: kuchonga kwa uangalifu
Michakato kuu ya utengenezaji wa diski ya epitaxial ya SIC ni pamoja na uwekaji wa mvuke halisi (PVD), uwekaji wa mvuke wa kemikali (CVD) na ukuaji wa epitaxial.Kila moja ya taratibu hizi ina sifa zake na inahitaji udhibiti sahihi wa vigezo mbalimbali ili kufikia matokeo bora.
1. Mchakato wa PVD: Kwa uvukizi au unyunyizaji na mbinu zingine, lengo la SiC huwekwa kwenye substrate kuunda filamu.Filamu iliyoandaliwa na njia hii ina usafi wa juu na fuwele nzuri, lakini kasi ya uzalishaji ni polepole.
2. Mchakato wa CVD: Kwa kupasua gesi ya chanzo cha silicon carbudi kwenye joto la juu, huwekwa kwenye substrate ili kuunda filamu nyembamba.Unene na usawa wa filamu iliyoandaliwa na njia hii inaweza kudhibitiwa, lakini usafi na fuwele ni duni.
3. Ukuaji wa Epitaxial: Ukuaji wa safu ya epitaxial ya SiC kwenye silicon ya monocrystalline au nyenzo zingine za monocrystalline kwa mbinu ya uwekaji wa mvuke wa kemikali.Safu ya epitaxial iliyoandaliwa na njia hii ina uwiano mzuri na utendaji bora na nyenzo za substrate, lakini gharama ni ya juu.
三、Matarajio ya maombi: Angazia siku zijazo
Pamoja na maendeleo endelevu ya teknolojia ya umeme wa nishati na mahitaji yanayoongezeka ya utendakazi wa hali ya juu na vifaa vya elektroniki vya kutegemewa kwa juu, diski ya epitaxial ya silicon carbide ina matarajio mapana ya matumizi katika utengenezaji wa vifaa vya semiconductor.Inatumika sana katika utengenezaji wa vifaa vya high-frequency high-power semiconductor, kama vile swichi za umeme, inverters, rectifiers, nk. Aidha, pia hutumiwa sana katika seli za jua, LED na maeneo mengine.
Kwa faida zake za kipekee za utendaji na uboreshaji unaoendelea wa mchakato wa utengenezaji, diski ya epitaxial ya silicon carbide inaonyesha hatua kwa hatua uwezo wake mkubwa katika uwanja wa semiconductor.Tuna sababu ya kuamini kwamba katika siku zijazo za sayansi na teknolojia, itakuwa na jukumu muhimu zaidi.
Muda wa kutuma: Nov-28-2023