China Kaki Watengenezaji, Wasambazaji, Kiwanda
Kaki ya semiconductor ni nini?
Kaki ya semicondukta ni kipande chembamba cha duara cha nyenzo ya semicondukta ambayo hutumika kama msingi wa utengenezaji wa saketi zilizounganishwa (ICs) na vifaa vingine vya kielektroniki. Kaki hutoa uso wa gorofa na sare ambayo vipengele mbalimbali vya elektroniki vinajengwa.
Mchakato wa utengenezaji wa kaki unahusisha hatua kadhaa, ikiwa ni pamoja na kukuza fuwele kubwa moja ya nyenzo ya semicondukta inayotakikana, kukata fuwele hiyo kuwa kaki nyembamba kwa kutumia msumeno wa almasi, na kisha kung'arisha na kusafisha kaki ili kuondoa kasoro au uchafu wowote kwenye uso. Kaki zinazotokana zina uso tambarare na laini, ambao ni muhimu kwa mchakato wa uundaji unaofuata.
Pindi kaki zinapotayarishwa, hupitia msururu wa michakato ya utengenezaji wa semiconductor, kama vile upigaji picha, uchongaji, uwekaji na doping, ili kuunda muundo na tabaka tata zinazohitajika kuunda vijenzi vya kielektroniki. Taratibu hizi hurudiwa mara nyingi kwenye kaki moja ili kuunda mizunguko mingi iliyounganishwa au vifaa vingine.
Baada ya mchakato wa kutengeneza kukamilika, chipsi za mtu binafsi hutenganishwa kwa kukatwa kwa kaki kwenye mistari iliyoainishwa. Chips zilizotenganishwa huwekwa kwenye vifurushi ili kuzilinda na kutoa miunganisho ya umeme kwa kuunganishwa kwenye vifaa vya elektroniki.
Nyenzo tofauti kwenye kaki
Kaki za semiconductor kimsingi hutengenezwa kutoka kwa silikoni ya fuwele moja kwa sababu ya wingi wake, sifa bora za umeme, na uoanifu na michakato ya kawaida ya utengenezaji wa semicondukta. Hata hivyo, kulingana na maombi na mahitaji maalum, vifaa vingine vinaweza pia kutumika kutengeneza mikate. Hapa kuna baadhi ya mifano:
Silicon carbide (SiC) ni nyenzo pana ya semiconductor ya bandgap ambayo hutoa sifa bora za kimwili ikilinganishwa na vifaa vya jadi. Inasaidia kupunguza ukubwa na uzito wa vifaa tofauti, moduli, na hata mifumo yote, huku ikiboresha ufanisi.
Tabia kuu za SiC:
- -Mgawanyiko mpana:Bendi ya SiC ni takriban mara tatu ya ile ya silicon, inayoiruhusu kufanya kazi katika halijoto ya juu zaidi, hadi 400°C.
- -Sehemu Muhimu ya Kuchanganua:SiC inaweza kuhimili hadi mara kumi ya uwanja wa umeme wa silicon, na kuifanya kuwa bora kwa vifaa vya juu-voltage.
- - Uendeshaji wa hali ya juu wa joto:SiC hutawanya joto kwa ustadi, kusaidia vifaa kudumisha halijoto bora zaidi ya kufanya kazi na kurefusha maisha yao.
- - Kasi ya Kuteleza kwa Elektroni ya Kueneza kwa Juu:Kwa kasi ya kusogea maradufu ya silicon, SiC huwezesha masafa ya juu zaidi ya kubadili, kusaidia katika upunguzaji wa sauti wa kifaa.
Maombi:
-
- Umeme wa umeme:Vifaa vya nguvu vya SiC vinafanya kazi vyema katika mazingira ya voltage ya juu, ya sasa, ya juu, na ya masafa ya juu, na hivyo kuimarisha ufanisi wa ubadilishaji wa nishati. Zinatumika sana katika magari ya umeme, vituo vya kuchaji, mifumo ya photovoltaic, usafirishaji wa reli na gridi mahiri.
-
-Mawasiliano ya Microwave:Vifaa vya GaN RF vya SiC ni muhimu kwa miundombinu ya mawasiliano isiyo na waya, haswa kwa vituo vya msingi vya 5G. Vifaa hivi vinachanganya upitishaji bora wa mafuta wa SiC na pato la RF la masafa ya juu la GaN, na kuvifanya kuwa chaguo linalopendelewa kwa mitandao ya simu ya masafa ya juu ya kizazi kijacho.
Nitridi ya Galliamu (GaN)ni nyenzo ya kizazi cha tatu ya bandgap pana ya semicondukta yenye mkanda mkubwa, upitishaji wa juu wa mafuta, kasi ya juu ya kuteleza kwa elektroni, na sifa bora za shamba za kuvunjika. Vifaa vya GaN vina matarajio mapana ya matumizi katika maeneo ya masafa ya juu, kasi ya juu na yenye nguvu nyingi kama vile taa za LED zinazookoa nishati, maonyesho ya makadirio ya leza, magari ya umeme, gridi mahiri na mawasiliano ya 5G.
Gallium arsenide (GaAs)ni nyenzo ya semiconductor inayojulikana kwa masafa yake ya juu, uhamaji wa elektroni nyingi, pato la juu la nguvu, kelele ya chini, na mstari mzuri. Inatumika sana katika tasnia ya optoelectronics na microelectronics. Katika optoelectronics, substrates za GaAs hutumiwa kutengeneza LED (diodi zinazotoa mwanga), LD (diodi za laser), na vifaa vya photovoltaic. Katika microelectronics, huajiriwa katika uzalishaji wa MESFETs (transistors ya athari ya shamba-metal-semiconductor), HEMTs (transistors ya juu ya elektroni ya uhamaji), HBTs (heterojunction bipolar transistors), ICs (saketi zilizounganishwa), diodi za microwave, na vifaa vya athari ya Ukumbi.
Indium phosfidi (InP)ni mojawapo ya semiconductors kiwanja cha III-V, inayojulikana kwa uhamaji wake wa juu wa elektroni, upinzani bora wa mionzi, na ukanda mpana. Inatumika sana katika tasnia ya optoelectronics na microelectronics.
