Semicera hutoa mipako maalum ya tantalum carbudi (TaC) kwa vipengele mbalimbali na wabebaji.Mchakato wa upakaji unaoongoza wa Semicera huwezesha mipako ya tantalum carbudi (TaC) kufikia usafi wa juu, uthabiti wa joto la juu na uvumilivu wa juu wa kemikali, kuboresha ubora wa bidhaa wa fuwele za SIC/GAN na tabaka za EPI (Kishinikizo cha TaC kilichopakwa grafiti), na kupanua maisha ya vijenzi muhimu vya kinu. matumizi ya tantalum CARBIDE mipako TaC ni kutatua tatizo makali na kuboresha ubora wa ukuaji wa kioo, na mafanikio ya Semicera kutatuliwa tantalum CARBIDE mipako teknolojia (CVD), na kufikia ngazi ya juu ya kimataifa.
Silicon carbide (SiC) ni nyenzo muhimu katika kizazi cha tatu cha semiconductors, lakini kiwango cha mavuno yake kimekuwa kikwazo kwa ukuaji wa sekta. Baada ya uchunguzi wa kina katika maabara za Semicera, imegundulika kuwa TaC iliyonyunyiziwa na kunyunyiziwa haina usafi na usawa unaohitajika. Kwa kulinganisha, mchakato wa CVD unahakikisha kiwango cha usafi cha 5 PPM na usawa bora. Matumizi ya CVD TaC huboresha kwa kiasi kikubwa kiwango cha mavuno cha kaki za silicon carbide. Tunakaribisha mijadalaTantalum Carbide CVD Coating Guide Gonga ili kupunguza zaidi gharama za kaki za SiC.
Baada ya miaka ya maendeleo, Semicera imeshinda teknolojia yaCVD TaCpamoja na juhudi za pamoja za idara ya R&D. Kasoro ni rahisi kutokea katika mchakato wa ukuaji wa kaki za SiC, lakini baada ya kutumiaTaC, tofauti ni muhimu. Ifuatayo ni ulinganisho wa kaki zenye na zisizo na TaC, pamoja na sehemu za Simicera kwa ukuaji wa fuwele moja.
pamoja na bila TaC
Baada ya kutumia TaC (kulia)
Aidha, Semicera'sBidhaa zilizofunikwa na TaChuonyesha maisha marefu ya huduma na upinzani mkubwa wa halijoto ya juu ikilinganishwa naMipako ya SiC.Vipimo vya maabara vimeonyesha kuwa yetuMipako ya TaCinaweza kufanya kazi mara kwa mara kwenye joto hadi nyuzi joto 2300 kwa muda mrefu. Ifuatayo ni baadhi ya mifano ya sampuli zetu:
