Pete za Kuchomeka za Silicon Carbide(SiC) zinazotolewa na Semicera zimetengenezwa kwa mbinu ya Uwekaji wa Mvuke wa Kemikali (CVD) na ni tokeo bora katika uga wa utumaji uwekaji sahihi wa mchakato. Pete hizi za Kuchomeka za Silicon Carbide(SiC) zinajulikana kwa ugumu wao bora, uthabiti wa mafuta na upinzani wa kutu, na ubora wa juu wa nyenzo unahakikishwa na usanisi wa CVD.
Iliyoundwa mahususi kwa ajili ya michakato ya kuchota, Muundo mbovu wa Pete za Silicon (SiC) na sifa za kipekee za nyenzo huchukua jukumu muhimu katika kufikia usahihi na kutegemewa. Tofauti na vifaa vya jadi, sehemu ya SiC imara ina uimara usio na kifani na upinzani wa kuvaa, na kuifanya kuwa sehemu ya lazima katika viwanda vinavyohitaji usahihi na maisha marefu.
Pete zetu za Kuchomeka za Silicon Carbide(SiC) zimetengenezwa kwa usahihi na kudhibitiwa ubora ili kuhakikisha utendakazi wao wa hali ya juu na kutegemewa. Iwe katika utengenezaji wa semicondukta au nyanja zingine zinazohusiana, Pete hizi za Kuangazia Solid Silicon Carbide(SiC) zinaweza kutoa utendakazi thabiti na matokeo bora ya upachikaji.
Ikiwa una nia ya Pete yetu ya Kuweka Silicon Carbide(SiC), tafadhali wasiliana nasi. Timu yetu itakupa maelezo ya kina ya bidhaa na usaidizi wa kitaalamu wa kiufundi ili kukidhi mahitaji yako. Tunatazamia kuanzisha ushirikiano wa muda mrefu na wewe na kukuza kwa pamoja maendeleo ya sekta hii.
✓Ubora wa juu katika soko la China
✓Huduma nzuri kwako kila wakati, saa 7*24
✓Tarehe fupi ya kujifungua
✓MOQ Ndogo inakaribishwa na kukubaliwa
✓Huduma maalum
Kishawishi cha Ukuaji wa Epitaxy
Vifurushi vya silicon/silicon carbide vinahitaji kupitia michakato mingi ili kutumika katika vifaa vya kielektroniki. Mchakato muhimu ni silicon/sic epitaxy, ambapo kaki za silicon/sic hubebwa kwenye msingi wa grafiti. Faida maalum za msingi wa grafiti uliofunikwa na silicon ya Semicera ni pamoja na usafi wa hali ya juu, upakaji sare, na maisha marefu sana ya huduma. Pia wana upinzani wa juu wa kemikali na utulivu wa joto.
Uzalishaji wa Chip ya LED
Wakati wa mipako ya kina ya reactor ya MOCVD, msingi wa sayari au carrier husonga kaki ya substrate. Utendaji wa nyenzo za msingi una ushawishi mkubwa juu ya ubora wa mipako, ambayo kwa upande huathiri kiwango cha chakavu cha chip. Msingi wa silicon ya Semicera uliopakwa carbide huongeza ufanisi wa utengenezaji wa kaki za LED za ubora wa juu na kupunguza mkengeuko wa urefu wa mawimbi. Pia tunasambaza vipengele vya ziada vya grafiti kwa vinu vyote vya MOCVD vinavyotumika sasa. Tunaweza kupaka karibu kipengee chochote kwa mipako ya silicon ya carbudi, hata kama kipenyo cha sehemu ni hadi 1.5M, bado tunaweza kupaka na silicon carbudi.
Sehemu ya Semiconductor, Mchakato wa Usambazaji wa Oxidation, Nk.
Katika mchakato wa semiconductor, mchakato wa upanuzi wa oksidi unahitaji usafi wa hali ya juu wa bidhaa, na katika Semicera tunatoa huduma maalum na za upakaji wa CVD kwa sehemu nyingi za silicon carbudi.
Picha ifuatayo inaonyesha tope la silicon carbide iliyochakatwa vibaya ya Semicea na bomba la tanuru la silicon carbide ambalo husafishwa katika 100.0-kiwangoisiyo na vumbichumba. Wafanyakazi wetu wanafanya kazi kabla ya mipako. Usafi wa carbudi yetu ya silicon inaweza kufikia 99.99%, na usafi wa mipako ya sic ni zaidi ya 99.99995%.
Paddle Ghafi ya Silicon Carbide na SiC Process Tube katika Kusafisha
Boti ya Silicon Carbide Wafer CVD SiC Coated
