Kaki ya SOI ya Semicera (Silicon On Insulator) imeundwa ili kutoa utengaji bora wa umeme na utendakazi wa joto. Muundo huu wa ubunifu wa kaki, unaojumuisha safu ya silicon kwenye safu ya kuhami joto, huhakikisha utendakazi ulioimarishwa wa kifaa na kupunguza matumizi ya nishati, na kuifanya kuwa bora kwa matumizi mbalimbali ya teknolojia ya juu.
Kaki zetu za SOI hutoa manufaa ya kipekee kwa saketi zilizounganishwa kwa kupunguza uwezo wa vimelea na kuboresha kasi na ufanisi wa kifaa. Hii ni muhimu kwa vifaa vya kisasa vya kielektroniki, ambapo utendaji wa juu na ufanisi wa nishati ni muhimu kwa matumizi ya watumiaji na ya viwandani.
Semicera hutumia mbinu za hali ya juu za utengenezaji kutengeneza kaki za SOI zenye ubora thabiti na kutegemewa. Kaki hizi hutoa insulation bora ya mafuta, na kuzifanya zinafaa kutumika katika mazingira ambapo utengano wa joto ni jambo la kusumbua, kama vile vifaa vya elektroniki vya msongamano wa juu na mifumo ya kudhibiti nguvu.
Matumizi ya kaki za SOI katika utengenezaji wa semiconductor huruhusu uundaji wa chips ndogo, za haraka na za kuaminika zaidi. Kujitolea kwa Semicera kwa uhandisi wa usahihi huhakikisha kwamba kaki zetu za SOI zinakidhi viwango vya juu vinavyohitajika kwa teknolojia ya kisasa katika nyanja kama vile mawasiliano ya simu, magari na vifaa vya elektroniki vya watumiaji.
Kuchagua Kaki ya SOI ya Semicera inamaanisha kuwekeza katika bidhaa inayoauni maendeleo ya teknolojia za kielektroniki na kielektroniki. Kaki zetu zimeundwa ili kutoa utendakazi ulioimarishwa na uimara, unaochangia mafanikio ya miradi yako ya teknolojia ya juu na kuhakikisha kuwa unasalia mstari wa mbele katika uvumbuzi.
Vipengee | Uzalishaji | Utafiti | Dummy |
Vigezo vya Kioo | |||
Aina nyingi | 4H | ||
Hitilafu ya mwelekeo wa uso | <11-20>4±0.15° | ||
Vigezo vya Umeme | |||
Dopant | n-aina ya Nitrojeni | ||
Upinzani | 0.015-0.025ohm · cm | ||
Vigezo vya Mitambo | |||
Kipenyo | 150.0±0.2mm | ||
Unene | 350±25 μm | ||
Mwelekeo wa msingi wa gorofa | [1-100] ±5° | ||
Urefu wa msingi wa gorofa | 47.5±1.5mm | ||
Gorofa ya sekondari | Hakuna | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
Upinde | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Ukali wa mbele(Si-face)(AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
Muundo | |||
Msongamano wa mikrobo | <1 ea/cm2 | <10 kwa kila cm2 | <15 E/cm2 |
Uchafu wa chuma | ≤5E10atomi/cm2 | NA | |
BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 kwa/cm2 | NA |
TSD | ≤500 kwa kila cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
Ubora wa mbele | |||
Mbele | Si | ||
Kumaliza uso | Si-face CMP | ||
Chembe | ≤60ea/kaki (ukubwa≥0.3μm) | NA | |
Mikwaruzo | ≤5ea/mm. Urefu wa jumla ≤Kipenyo | Urefu wa jumla≤2*Kipenyo | NA |
Maganda ya chungwa/mashimo/madoa/madoa/ nyufa/uchafuzi | Hakuna | NA | |
Vipande vya pembeni / indents / fracture / hex sahani | Hakuna | ||
Maeneo ya polytype | Hakuna | Jumla ya eneo≤20% | Jumla ya eneo≤30% |
Kuashiria kwa laser ya mbele | Hakuna | ||
Ubora wa Nyuma | |||
Mwisho wa nyuma | C-uso CMP | ||
Mikwaruzo | ≤5ea/mm,Jumla ya urefu≤2*Kipenyo | NA | |
Upungufu wa mgongo (chips za makali/indents) | Hakuna | ||
Ukali wa mgongo | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
Kuashiria kwa laser ya nyuma | 1 mm (kutoka makali ya juu) | ||
Ukingo | |||
Ukingo | Chamfer | ||
Ufungaji | |||
Ufungaji | Epi-tayari na kifungashio cha utupu Ufungaji wa kaseti za kanda nyingi | ||
*Vidokezo: "NA" inamaanisha hakuna ombi Vipengee ambavyo havijatajwa vinaweza kurejelea SEMI-STD. |