Tantalum carbudi (TaC)ni nyenzo ya kauri inayostahimili joto la juu na faida ya kiwango cha juu myeyuko, ugumu wa juu, utulivu mzuri wa kemikali, nguvu ya umeme na conductivity ya mafuta, nk.Mipako ya TaCinaweza kutumika kama mipako sugu ablation, mipako oxidation sugu, kuvaa sugu, na ni sana kutumika katika luftfart ulinzi wa mafuta, kizazi cha tatu semiconductor single ukuaji wa kioo, umeme wa nishati na nyanja nyingine.
Mchakato:
Tantalum carbudi (TaC)ni aina ya nyenzo za kauri zinazostahimili joto la juu zenye faida za kiwango cha juu myeyuko, ugumu wa juu, utulivu mzuri wa kemikali, umeme wenye nguvu na upitishaji wa mafuta. Kwa hiyo,Mipako ya TaCinaweza kutumika kama mipako sugu ablation, mipako oxidation sugu, kuvaa sugu, na ni sana kutumika katika luftfart ulinzi wa mafuta, kizazi cha tatu semiconductor single ukuaji wa kioo, umeme wa nishati na nyanja nyingine.
Tabia ya ndani ya mipako:
Tunatumia njia ya slurry-sintering kuandaaMipako ya TaCya unene tofauti kwenye substrates za grafiti za ukubwa mbalimbali. Kwanza, poda ya kiwango cha juu iliyo na chanzo cha Ta na chanzo cha C imesanidiwa kwa kisambaza na kuunganisha ili kuunda tope sare na thabiti. Wakati huo huo, kulingana na ukubwa wa sehemu za grafiti na mahitaji ya unene waMipako ya TaC, mipako ya awali imeandaliwa kwa kunyunyizia, kumwaga, kuingilia na aina nyingine. Hatimaye, huwashwa hadi zaidi ya 2200 ℃ katika mazingira ya utupu ili kuandaa sare, mnene, awamu moja, na fuwele vizuri.Mipako ya TaC.
Tabia ya ndani ya mipako:
Unene waMipako ya TaCni kuhusu 10-50 μm, nafaka hukua katika mwelekeo wa bure, na inaundwa na TaC yenye muundo wa ujazo wa awamu moja unaozingatia uso, bila uchafu mwingine; mipako ni mnene, muundo umekamilika, na fuwele ni ya juu.Mipako ya TaCinaweza kujaza vinyweleo kwenye uso wa grafiti, na inaunganishwa kwa kemikali kwenye tumbo la grafiti yenye nguvu ya juu ya kuunganisha. Uwiano wa Ta hadi C katika mipako ni karibu na 1: 1. Kiwango cha marejeleo cha ugunduzi wa usafi wa GDMS ASTM F1593, ukolezi wa uchafu ni chini ya 121ppm. Kupotoka kwa maana ya hesabu (Ra) ya wasifu wa mipako ni 662nm.
Maombi ya Jumla:
GaN naSiC epitaxialVipengee vya kinu cha CVD, ikijumuisha vibeba kaki, vyombo vya satelaiti, vichwa vya kuoga, vifuniko vya juu na vihasishi.
Vipengee vya ukuaji wa fuwele za SiC, GaN na AlN, ikiwa ni pamoja na crucibles, vishikilia fuwele za mbegu, miongozo ya mtiririko na vichujio.
Vipengele vya viwanda, ikiwa ni pamoja na vipengele vya kupokanzwa vya kupinga, nozzles, pete za kinga na fixtures za brazing.
Vipengele muhimu:
Utulivu wa joto la juu katika 2600 ℃
Hutoa ulinzi wa hali thabiti katika mazingira magumu ya kemikali ya H2, NH3, SiH4na mvuke wa Si
Inafaa kwa uzalishaji wa wingi na mzunguko mfupi wa uzalishaji.
