Silicon kwenye Kaki za Kihamikutoka Semicera zimeundwa kukidhi mahitaji yanayokua ya suluhu za utendaji wa juu wa semiconductor. Kaki zetu za SOI hutoa utendakazi wa hali ya juu wa umeme na kupunguza uwezo wa kifaa cha vimelea, na kuifanya kuwa bora kwa programu za juu kama vile vifaa vya MEMS, vitambuzi na saketi zilizounganishwa. Utaalam wa Semicera katika utengenezaji wa kaki huhakikisha kila mojakaki ya SOIhutoa matokeo ya kuaminika, ya ubora wa juu kwa mahitaji yako ya teknolojia ya kizazi kijacho.
YetuSilicon kwenye Kaki za Kihamikutoa uwiano bora kati ya ufanisi wa gharama na utendaji. Huku gharama ya kaki ya soi ikizidi kuwa shindani, kaki hizi hutumika sana katika tasnia mbalimbali, zikiwemo za kielektroniki kidogo na optoelectronics. Mchakato wa uzalishaji wa usahihi wa hali ya juu wa Semicera huhakikisha uunganisho wa kaki bora na usawa, na kuzifanya zinafaa kwa matumizi mbalimbali, kutoka kwa kaki za SOI hadi kaki za kawaida za silicon.
Sifa Muhimu:
•Kaki za ubora wa juu za SOI zilizoboreshwa kwa utendakazi katika MEMS na programu zingine.
•Gharama ya kaki ya soi ya ushindani kwa biashara zinazotafuta masuluhisho ya hali ya juu bila kuathiri ubora.
•Inafaa kwa teknolojia ya kisasa, inayotoa utengaji wa umeme ulioimarishwa na ufanisi katika silicon kwenye mifumo ya vihami.
YetuSilicon kwenye Kaki za Kihamizimeundwa ili kutoa suluhisho za utendaji wa juu, kusaidia wimbi linalofuata la uvumbuzi katika teknolojia ya semiconductor. Ikiwa unafanya kazi kwenye cavitykaki za SOI, vifaa vya MEMS, au silicon kwenye vijenzi vya vihami, Semicera hutoa kaki ambazo zinakidhi viwango vya juu zaidi katika tasnia.
| Vipengee | Uzalishaji | Utafiti | Dummy |
| Vigezo vya Kioo | |||
| Aina nyingi | 4H | ||
| Hitilafu ya mwelekeo wa uso | <11-20>4±0.15° | ||
| Vigezo vya Umeme | |||
| Dopant | n-aina ya Nitrojeni | ||
| Upinzani | 0.015-0.025ohm · cm | ||
| Vigezo vya Mitambo | |||
| Kipenyo | 150.0±0.2mm | ||
| Unene | 350±25 μm | ||
| Mwelekeo wa msingi wa gorofa | [1-100] ±5° | ||
| Urefu wa msingi wa gorofa | 47.5±1.5mm | ||
| Gorofa ya sekondari | Hakuna | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| Upinde | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Ukali wa mbele(Si-face)(AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Muundo | |||
| Msongamano wa mikrobo | <1 ea/cm2 | <10 kwa kila cm2 | <15 E/cm2 |
| Uchafu wa chuma | ≤5E10atomi/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 kwa/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 kwa kila cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Ubora wa mbele | |||
| Mbele | Si | ||
| Kumaliza uso | Si-face CMP | ||
| Chembe | ≤60ea/kaki (ukubwa≥0.3μm) | NA | |
| Mikwaruzo | ≤5ea/mm. Urefu wa jumla ≤Kipenyo | Urefu wa jumla≤2*Kipenyo | NA |
| Maganda ya chungwa/mashimo/madoa/madoa/ nyufa/uchafuzi | Hakuna | NA | |
| Vipande vya pembeni / indents / fracture / hex sahani | Hakuna | ||
| Maeneo ya polytype | Hakuna | Jumla ya eneo≤20% | Jumla ya eneo≤30% |
| Kuashiria kwa laser ya mbele | Hakuna | ||
| Ubora wa Nyuma | |||
| Mwisho wa nyuma | C-uso CMP | ||
| Mikwaruzo | ≤5ea/mm,Jumla ya urefu≤2*Kipenyo | NA | |
| Upungufu wa mgongo (chips za makali/indents) | Hakuna | ||
| Ukali wa mgongo | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Kuashiria kwa laser ya nyuma | 1 mm (kutoka makali ya juu) | ||
| Ukingo | |||
| Ukingo | Chamfer | ||
| Ufungaji | |||
| Ufungaji | Epi-tayari na kifungashio cha utupu Ufungaji wa kaseti za kanda nyingi | ||
| *Vidokezo: "NA" inamaanisha hakuna ombi Vipengee ambavyo havijatajwa vinaweza kurejelea SEMI-STD. | |||
