Silicon CARBIDE ni aina ya CARbudi sintetiki yenye molekuli ya SiC. Inapotiwa nguvu, silika na kaboni kawaida huundwa kwa joto la juu zaidi ya 2000 ° C. Silicon carbide ina msongamano wa kinadharia wa 3.18g/cm3, ugumu wa Mohs unaofuata almasi, na ugumu mdogo wa 3300kg/mm3 kati ya 9.2 na 9.8. Kutokana na ugumu wake wa juu na upinzani wa juu wa kuvaa, ina sifa ya upinzani wa joto la juu na hutumiwa kwa aina mbalimbali za sehemu za mitambo zinazostahimili kuvaa, zinazostahimili kutu na zenye joto la juu. Ni aina mpya ya teknolojia ya kauri inayostahimili kuvaa.
1. Tabia za kemikali.
(1) Upinzani wa oxidation: Nyenzo ya silicon inapokanzwa hadi 1300 ° C hewani, safu ya kinga ya dioksidi ya silicon huanza kuzalishwa juu ya uso wa fuwele yake ya silicon CARBIDE. Kwa unene wa safu ya kinga, carbudi ya silicon ya ndani inaendelea oxidize, ili carbudi ya silicon ina upinzani mzuri wa oxidation. Halijoto inapofikia zaidi ya 1900K(1627°C), filamu ya kinga ya silicon dioksidi huanza kuharibiwa, na uoksidishaji wa silicon carbudi huimarishwa, kwa hivyo 1900K ni joto la kufanya kazi la silicon carbudi katika angahewa ya vioksidishaji.
(2) Asidi na upinzani alkali: kutokana na jukumu la silicon dioksidi filamu ya kinga, silicon CARBIDE ina mali katika nafasi ya filamu silicon dioksidi kinga.
2, Tabia za kimwili na mitambo.
(1) Uzito: Uzito wa chembe za fuwele mbalimbali za silicon carbudi ni karibu sana, kwa ujumla huchukuliwa kuwa 3.20g/mm3, na msongamano wa asili wa upakiaji wa abrasives za silicon carbudi ni kati ya 1.2-1.6g/mm3, kulingana na ukubwa wa chembe. utungaji wa ukubwa wa chembe na umbo la ukubwa wa chembe.
(2) Ugumu: Ugumu wa Mohs wa silicon carbide ni 9.2, wiani mdogo wa Wessler ni 3000-3300kg/mm2, ugumu wa Knopp ni 2670-2815kg/mm, abrasive ni ya juu kuliko corundum, karibu na almasi, cubic. nitridi ya boroni na carbudi ya boroni.
(3) Conductivity ya mafuta: bidhaa za CARBIDE za silicon zina conductivity ya juu ya mafuta, mgawo mdogo wa upanuzi wa mafuta, upinzani wa juu wa mshtuko wa mafuta, na ni vifaa vya ubora wa kinzani.
3. Tabia za umeme.
| Kipengee | Kitengo | Data | Data | Data | Data | Data |
| RBsic(sisic) | NBSiC | SSiC | RSiC | OSiC | ||
| Maudhui ya SiC | % | 85 | 76 | 99 | ≥99 | ≥90 |
| Maudhui ya silicon ya bure | % | 15 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| Kiwango cha juu cha joto cha huduma | ℃ | 1380 | 1450 | 1650 | 1620 | 1400 |
| Msongamano | g/cm^3 | 3.02 | 2.75-2.85 | 3.08-3.16 | 2.65-2.75 | 2.75-2.85 |
| Fungua porosity | % | 0 | 13-15 | 0 | 15-18 | 7-8 |
| Nguvu ya kuinama 20℃ | Mpa | 250 | 160 | 380 | 100 | / |
| Nguvu ya kuinama 1200 ℃ | Mpa | 280 | 180 | 400 | 120 | / |
| Modulus ya elasticity 20 ℃ | Gpa | 330 | 580 | 420 | 240 | / |
| Modulus ya elasticity 1200 ℃ | Gpa | 300 | / | / | 200 | / |
| Uendeshaji wa joto 1200 ℃ | W/mk | 45 | 19.6 | 100-120 | 36.6 | / |
| Mgawo wa upanuzi wa thermale | K^-lx10^-8 | 4.5 | 4.7 | 4.1 | 4.69 | / |
| HV | kg/m^m2 | 2115 | / | 2800 | / | / |
