Vivumishi vya Msingi vya Graphite vya SiC vilivyofunikwa kwa MOCVD

SiC Coated Graphite Msingi Vihasishikwa MOCVD kutoka semicera zimeundwa ili kutoa utendaji wa kipekee katika michakato ya ukuaji wa epitaxial. Mipako ya ubora wa juu ya kabidi ya silicon kwenye msingi wa grafiti huhakikisha uthabiti, uimara, na upitishaji bora wa mafuta wakati wa shughuli za MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition). Kwa kutumia teknolojia ya kibunifu ya semicera, unaweza kufikia usahihi na ufanisi ulioimarishwaKama EpitaxynaSiC Epitaxymaombi.

HayaVishawishi vya MOCVDzimeundwa kusaidia anuwai ya vijenzi muhimu vya semicondukta, kama vileMtoa huduma wa PSS Etching, Mtoa huduma wa ICP Etching, naMtoa huduma wa RTP, na kuzifanya ziwe nyingi kwa kazi mbalimbali za etching na epitaxial. Kujitolea kwa Semicera kwa viwango vya juu huhakikisha kwamba vishawishi hivi vinakidhi mahitaji makubwa ya uzalishaji wa kisasa wa semiconductor.

Inafaa kwa matumizi ndaniLED EpitaxialMichakato ya Kisukasi, Kishisi cha Pipa, na Silicon ya Monocrystalline, vihasishi hivi vinaweza kubinafsishwa kwa ukubwa tofauti wa kaki, ikiwa ni pamoja na usanidi wa Pancake Susceptor. Pia zinafaa sana katika kushughulikia Sehemu za Photovoltaic, na kuzifanya kuwa sehemu muhimu katika ukuzaji wa seli bora za jua.

Zaidi ya hayo, Vihasishi vya SiC Coated Graphite Base kwa MOCVD vimeboreshwa kwa ajili ya GaN kwenye SiC Epitaxy, vinavyotoa upatanifu wa hali ya juu na nyenzo za hali ya juu za semiconductor. Iwe unalenga katika kuboresha mavuno au kuongeza ubora wa ukuaji wa epitaxial, vivumishi vya semicera hutoa uaminifu na utendakazi unaohitajika kwa mafanikio katika tasnia ya teknolojia ya juu.