Semicera imejiendelezaSehemu ya Muhuri ya Kauri ya SiCimeundwa kukidhi viwango vya juu vya utengenezaji wa semiconductor za kisasa. Sehemu hii ya kuziba hutumia utendaji wa juusilicon carbudi (SiC)nyenzo na upinzani bora wa kuvaa na utulivu wa kemikali ili kuhakikisha utendaji bora wa kuziba katika mazingira uliokithiri. Pamoja naoksidi ya alumini (Al2O3)nanitridi ya silicon (Si3N4), sehemu hii inafanya vizuri katika maombi ya juu ya joto na inaweza kuzuia kwa ufanisi kuvuja gesi na kioevu.
Inapotumika pamoja na vifaa kama vileboti za kakina flygbolag kaki, Semicera'sSehemu ya Muhuri ya Kauri ya SiCinaweza kuboresha kwa kiasi kikubwa ufanisi na kuegemea kwa mfumo mzima. Upinzani wake wa hali ya juu wa joto na upinzani wa kutu huifanya kuwa sehemu ya lazima katika utengenezaji wa semiconductor ya usahihi wa hali ya juu, kuhakikisha uthabiti na usalama wakati wa mchakato wa uzalishaji.
Kwa kuongezea, muundo wa sehemu hii ya kuziba umeboreshwa kwa uangalifu ili kuhakikisha utangamano na vifaa anuwai, na kuifanya iwe rahisi kutumia katika mistari tofauti ya uzalishaji. Timu ya Semicera ya R&D inaendelea kufanya kazi kwa bidii kukuza uvumbuzi wa kiteknolojia ili kuhakikisha ushindani wa bidhaa zake katika tasnia.
Kuchagua SemiceraSehemu ya Muhuri ya Kauri ya SiC, utapata mchanganyiko wa utendaji wa juu na kutegemewa, kukusaidia kufikia michakato ya uzalishaji yenye ufanisi zaidi na ubora bora wa bidhaa. Semicera imejitolea kila wakati kuwapa wateja suluhisho na huduma bora za semiconductor ili kukuza maendeleo na maendeleo endelevu ya tasnia.
✓Ubora wa juu katika soko la China
✓Huduma nzuri kwako kila wakati, saa 7*24
✓Tarehe fupi ya kujifungua
✓MOQ Ndogo inakaribishwa na kukubaliwa
✓Huduma maalum
Kishawishi cha Ukuaji wa Epitaxy
Vifurushi vya silicon/silicon carbide vinahitaji kupitia michakato mingi ili kutumika katika vifaa vya kielektroniki. Mchakato muhimu ni silicon/sic epitaxy, ambapo kaki za silicon/sic hubebwa kwenye msingi wa grafiti. Faida maalum za msingi wa grafiti uliofunikwa na silicon ya Semicera ni pamoja na usafi wa hali ya juu, upakaji sare, na maisha marefu sana ya huduma. Pia wana upinzani wa juu wa kemikali na utulivu wa joto.
Uzalishaji wa Chip ya LED
Wakati wa mipako ya kina ya reactor ya MOCVD, msingi wa sayari au carrier husonga kaki ya substrate. Utendaji wa nyenzo za msingi una ushawishi mkubwa juu ya ubora wa mipako, ambayo kwa upande huathiri kiwango cha chakavu cha chip. Msingi wa silicon ya Semicera uliopakwa carbide huongeza ufanisi wa utengenezaji wa kaki za LED za ubora wa juu na kupunguza mkengeuko wa urefu wa mawimbi. Pia tunasambaza vipengele vya ziada vya grafiti kwa vinu vyote vya MOCVD vinavyotumika sasa. Tunaweza kupaka karibu kipengee chochote kwa mipako ya silicon ya carbudi, hata kama kipenyo cha sehemu ni hadi 1.5M, bado tunaweza kupaka na silicon carbudi.
Sehemu ya Semiconductor, Mchakato wa Usambazaji wa Oxidation, Nk.
Katika mchakato wa semiconductor, mchakato wa upanuzi wa oksidi unahitaji usafi wa hali ya juu wa bidhaa, na katika Semicera tunatoa huduma maalum na za upakaji wa CVD kwa sehemu nyingi za silicon carbudi.
Picha ifuatayo inaonyesha tope la silicon carbide iliyochakatwa vibaya ya Semicea na bomba la tanuru la silicon carbide ambalo husafishwa katika 100.0-kiwangoisiyo na vumbichumba. Wafanyakazi wetu wanafanya kazi kabla ya mipako. Usafi wa carbudi yetu ya silicon inaweza kufikia 99.99%, na usafi wa mipako ya sic ni zaidi ya 99.99995%.
Paddle Ghafi ya Silicon Carbide na SiC Process Tube katika Kusafisha
Boti ya Silicon Carbide Wafer CVD SiC Coated
