English

Punguzo la Kawaida Kipengele cha Kupasha joto cha Umeme Mbili Ond Kauri Silicon Carbide Sic

Punguzo la Kawaida Umeme Spiral Double Spiral Ceramic Silicon Carbide Sic Elementi ya Kupasha joto Picha Iliyoangaziwa
  • Punguzo la Kawaida Kipengele cha Kupasha joto cha Umeme Mbili Ond Kauri Silicon Carbide Sic

Maelezo Fupi:

Silicon carbudi ni aina mpya ya keramik yenye utendaji wa gharama kubwa na mali bora za nyenzo. Kwa sababu ya vipengele kama vile uimara wa juu na ugumu, ukinzani wa halijoto ya juu, udumishaji mkubwa wa mafuta na ukinzani wa kutu wa kemikali, Silicon Carbide inaweza karibu kustahimili kemikali zote. Kwa hiyo, SiC hutumiwa sana katika madini ya mafuta, kemikali, mashine na anga, hata nishati ya nyuklia na kijeshi wana mahitaji yao maalum juu ya SIC. Baadhi ya matumizi ya kawaida tunayoweza kutoa ni pete za muhuri za pampu, vali na silaha za kinga n.k.


Maelezo ya Bidhaa

Lebo za Bidhaa

Tunafuata kanuni ya usimamizi ya "Ubora ni bora, Huduma ni ya juu zaidi, Sifa ni ya kwanza", na tutaunda na kushiriki mafanikio kwa dhati na wateja wote kwa Kipengele cha Kupasha joto cha Kawaida cha Punguzo la Kawaida la Umeme wa Spiral Ceramic Silicon Carbide Sic, Wateja kwanza! Chochote unachohitaji, tunapaswa kufanya tuwezavyo kukusaidia. Tunakaribisha kwa moyo mkunjufu wateja kutoka duniani kote ili kushirikiana nasi kwa maendeleo ya pande zote.
Tunafuata kanuni ya usimamizi ya "Ubora ni bora, Huduma ni ya juu zaidi, Sifa ni ya kwanza", na tutaunda na kushiriki mafanikio na wateja wote kwa dhati.Kipengele cha Kupasha joto cha Silicon Carbide Sic na Vipengee vya Kupasha Umeme, Ikiwa una maombi yoyote, pls Tutumie barua pepe na madai yako ya kina, tutakupa Bei ya Ushindani ya Ubora wa Juu na Huduma Isiyopindwa ya Daraja la Kwanza! Tunaweza kukupa bei za ushindani zaidi na ubora wa juu, kwa sababu tumekuwa Mtaalamu zaidi! Kwa hivyo kumbuka usisite kuwasiliana nasi.

Faida

Upinzani wa oxidation ya joto la juu
Upinzani bora wa kutu
Upinzani mzuri wa Abrasion
Mgawo wa juu wa conductivity ya joto
Self-lubricity, chini wiani
Ugumu wa juu
Muundo uliobinafsishwa.

HGF (2)
HGF (1)

Maombi

-Sehemu inayostahimili uvaaji: kichaka, sahani, pua ya kulipua mchanga, kitambaa cha kimbunga, pipa la kusagia, n.k...
-Sehemu ya Halijoto ya Juu: Slab ya siC, Mirija ya Kuzima Tanuru, Mrija wa Kung'aa, Kipengele cha Kupasha joto, Rola, Boriti, Kibadilisha joto, Bomba la Hewa baridi, Burner Burner, Boti ya SiC, Muundo wa gari la Kiln, Setter, nk.
-Semicondukta ya Silicon Carbide: Boti ya kaki ya SiC, chuck ya sic, pala ya sic, kaseti ya sic, bomba la kueneza la sic, uma wa kaki, sahani ya kunyonya, njia, nk.
-Silicon Carbide Seal Seal: kila aina ya pete ya kuziba, kuzaa, bushing, nk.
-Shamba la Photovoltaic: Paddle ya Cantilever, Pipa ya Kusaga, Roller ya Silicon Carbide, nk.
- Sehemu ya Betri ya Lithium

KIKI (1)

KIKI (2)

Sifa za Kimwili za SiC

Mali Thamani Mbinu
Msongamano 3.21 g/cc Kuzama-kuelea na mwelekeo
Joto maalum 0.66 J/g °K Mwanga wa laser wa kupigwa
Nguvu ya flexural 450 MPa560 MPa 4 kumweka bend, RT4 kumweka bend, 1300°
Ugumu wa fracture 2.94 MPa m1/2 Microindentation
Ugumu 2800 Vicker, 500g mzigo
Modulus ElasticModulusYoung's 450 GPA430 GPA 4 pt bend, RT4 pt bend, 1300 °C
Ukubwa wa nafaka 2 - 10 µm SEM

Sifa za joto za SiC

Uendeshaji wa joto 250 W/m °K Njia ya laser flash, RT
Upanuzi wa Joto (CTE) 4.5 x 10-6 °K Joto la chumba hadi 950 °C, dilatometer ya silika

Vigezo vya Kiufundi

Kipengee Kitengo Data
RBSiC(SiSiC) NBSiC SSiC RSiC OSiC
Maudhui ya SiC % 85 75 99 99.9 ≥99
Maudhui ya silicon ya bure % 15 0 0 0 0
Kiwango cha juu cha joto cha huduma ℃ 1380 1450 1650 1620 1400
Msongamano g/cm3 3.02 2.75-2.85 3.08-3.16 2.65-2.75 2.75-2.85
Fungua porosity % 0 13-15 0 15-18 7-8
Nguvu ya kuinama 20℃ Mpa 250 160 380 100 /
Nguvu ya kuinama 1200 ℃ Mpa 280 180 400 120 /
Modulus ya elasticity 20 ℃ Gpa 330 580 420 240 /
Modulus ya elasticity 1200 ℃ Gpa 300 / / 200 /
Uendeshaji wa joto 1200 ℃ W/mK 45 19.6 100-120 36.6 /
Mgawo wa upanuzi wa joto K-1X10-6 4.5 4.7 4.1 4.69 /
HV Kg/mm2 2115 / 2800 / /

Mipako ya kaboni ya silicon ya CVD kwenye uso wa nje wa bidhaa za kauri za silicon iliyosasishwa inaweza kufikia usafi wa zaidi ya 99.9999% ili kukidhi mahitaji ya wateja katika sekta ya semiconductor.

Picha

KIKI (3)

KIKI (4)

KIKI (5) KIKI (6)

Tunafuata kanuni ya usimamizi ya "Ubora ni bora, Huduma ni ya juu zaidi, Sifa ni ya kwanza", na tutaunda na kushiriki mafanikio kwa dhati na wateja wote kwa Kipengele cha Kupasha joto cha Kawaida cha Punguzo la Kawaida la Umeme wa Spiral Ceramic Silicon Carbide Sic, Wateja kwanza! Chochote unachohitaji, tunapaswa kufanya tuwezavyo kukusaidia. Tunakaribisha kwa moyo mkunjufu wateja kutoka duniani kote ili kushirikiana nasi kwa maendeleo ya pande zote.
Punguzo la KawaidaKipengele cha Kupasha joto cha Silicon Carbide Sic na Vipengee vya Kupasha Umeme, Ikiwa una maombi yoyote, pls Tutumie barua pepe na madai yako ya kina, tutakupa Bei ya Ushindani ya Ubora wa Juu na Huduma Isiyopindwa ya Daraja la Kwanza! Tunaweza kukupa bei za ushindani zaidi na ubora wa juu, kwa sababu tumekuwa Mtaalamu zaidi! Kwa hivyo kumbuka usisite kuwasiliana nasi.

  • Iliyotangulia:
  • Inayofuata:

    • BIDHAA INAZOHUSIANA