Jinsi ya kupima upinzani wa karatasi ya filamu nyembamba?

Filamu nyembamba zinazotumiwa katika utengenezaji wa semiconductor zote zina upinzani, na upinzani wa filamu una athari ya moja kwa moja kwenye utendaji wa kifaa. Kwa kawaida hatupimi upinzani kamili wa filamu, lakini tumia upinzani wa karatasi ili kuionyesha.

Je, upinzani wa karatasi na upinzani wa kiasi ni nini?

Resistivity ya kiasi, pia inajulikana kama kupinga kwa kiasi, ni sifa ya asili ya nyenzo ambayo inaashiria ni kiasi gani nyenzo huzuia mtiririko wa sasa wa umeme. Alama inayotumika sana ρ inawakilisha, kitengo ni Ω.

Upinzani wa karatasi, pia unajulikana kama upinzani wa karatasi, jina la Kiingereza ni upinzani wa karatasi, ambayo inahusu thamani ya upinzani ya filamu kwa eneo la kitengo. Alama zinazotumika sana Rs au ρs kuelezea, kitengo ni Ω/sq au Ω/●

Uhusiano kati ya hizi mbili ni: upinzani wa karatasi = kupinga kiasi / unene wa filamu, yaani, Rs =ρ/t

Kwa nini kupima upinzani wa karatasi?

Kupima upinzani kamili wa filamu kunahitaji ujuzi sahihi wa vipimo vya kijiometri vya filamu (urefu, upana, unene), ambayo ina vigezo vingi na ni ngumu sana kwa filamu nyembamba sana au isiyo ya kawaida. Upinzani wa karatasi unahusiana tu na unene wa filamu na inaweza kupimwa haraka na moja kwa moja bila mahesabu ya ukubwa ngumu.

Ni filamu gani zinahitaji kupima upinzani wa karatasi?

Kwa ujumla, filamu za conductive na filamu za semiconductor zinahitaji kupimwa kwa upinzani wa mraba, wakati filamu za kuhami hazihitaji kupimwa.
Katika doping ya semiconductor, upinzani wa karatasi ya silicon pia hupimwa.

Jinsi ya kupima upinzani wa mraba?

Njia ya uchunguzi nne kwa ujumla hutumiwa katika tasnia. Mbinu ya uchunguzi wa nne inaweza kupima upinzani wa mraba kuanzia 1E-3 hadi 1E+9Ω/sq. Mbinu ya uchunguzi nne inaweza kuzuia hitilafu za kipimo kutokana na upinzani wa mgusano kati ya uchunguzi na sampuli.

Mbinu za kipimo:
1) Weka probe nne zilizopangwa kwa mstari kwenye uso wa sampuli.
2) Weka sasa ya mara kwa mara kati ya probes mbili za nje.
3) Tambua upinzani kwa kupima tofauti inayoweza kutokea kati ya probes mbili za ndani

RS : upinzani wa karatasi
ΔV: Mabadiliko ya voltage iliyopimwa kati ya uchunguzi wa ndani
I: Ya sasa inatumika kati ya uchunguzi wa nje