Kifaa cha MOCVD kwa Ukuaji wa Epitaxial

Kifaa cha MOCVD cha Ukuaji wa Epitaxial kwa semicera, suluhu inayoongoza iliyoundwa ili kuboresha mchakato wa ukuaji wa epitaxial kwa matumizi ya hali ya juu ya semiconductor. Semicera's MOCVD Susceptor huhakikisha udhibiti sahihi juu ya halijoto na uwekaji nyenzo, na kuifanya kuwa chaguo bora kwa kufikia Si Epitaxy na SiC Epitaxy ya ubora wa juu. Ujenzi wake dhabiti na upitishaji wa hali ya juu wa mafuta huwezesha utendakazi thabiti katika mazingira yenye mahitaji, kuhakikisha kuegemea inahitajika kwa mifumo ya ukuaji wa epitaxial.

Susceptor hii ya MOCVD inaoana na matumizi mbalimbali ya epitaxial, ikiwa ni pamoja na utengenezaji wa Silicon ya Monocrystalline na ukuaji wa GaN kwenye SiC Epitaxy, na kuifanya kuwa sehemu muhimu kwa watengenezaji wanaotafuta matokeo ya kiwango cha juu. Zaidi ya hayo, inafanya kazi kwa urahisi na PSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier, na mifumo ya Mtoa huduma wa RTP, ikiboresha ufanisi wa mchakato na mavuno. Susceptor pia inafaa kwa matumizi ya LED Epitaxial Susceptor na michakato mingine ya juu ya utengenezaji wa semiconductor.

Kwa muundo wake hodari, kihasishi cha MOCVD cha semicera kinaweza kubadilishwa kwa matumizi katika Pancake Susceptors na Visusi vya Pipa, ikitoa kubadilika katika usanidi tofauti wa uzalishaji. Ujumuishaji wa Sehemu za Photovoltaic huongeza zaidi matumizi yake, na kuifanya kuwa bora kwa tasnia ya semiconductor na jua. Suluhisho hili la utendaji wa juu hutoa utulivu bora wa joto na uimara, kuhakikisha ufanisi wa muda mrefu katika michakato ya ukuaji wa epitaxial.