Kaki ya Kuunganisha ya LiNbO3

Maelezo Fupi:

Kioo cha niobate cha lithiamu kina sifa bora zaidi za kielektroniki, macho-acousto, piezoelectric na zisizo za mstari. Kioo cha niobate cha lithiamu ni kioo muhimu cha multifunctional na sifa nzuri za macho zisizo na mstari na mgawo mkubwa wa macho usio na mstari; inaweza pia kufikia ulinganifu wa awamu zisizo muhimu. Kama kioo cha kielektroniki, kimetumika kama nyenzo muhimu ya mwongozo wa mawimbi ya macho; kama fuwele ya piezoelectric, inaweza kutumika kutengeneza vichujio vya SAW za masafa ya kati na ya chini, transducers za ultrasonic zinazostahimili joto la juu, nk. Nyenzo za niobate za lithiamu pia hutumiwa sana.

Tutumie barua pepe

Maelezo ya Bidhaa

Lebo za Bidhaa

Kaki ya Kuunganisha ya LiNbO3 ya Semicera imeundwa kukidhi mahitaji ya juu ya utengenezaji wa semiconductor ya hali ya juu. Pamoja na sifa zake za kipekee, ikiwa ni pamoja na upinzani bora wa kuvaa, uthabiti wa hali ya juu wa mafuta, na usafi wa hali ya juu, kaki hii ni bora kwa matumizi ambayo yanahitaji usahihi na utendakazi wa kudumu.

Katika tasnia ya semiconductor, Kaki za Kuunganisha za LiNbO3 hutumiwa kwa kawaida kuunganisha tabaka nyembamba katika vifaa vya optoelectronic, vitambuzi na IC za hali ya juu. Zinathaminiwa haswa katika fotonics na MEMS (Micro-Electromechanical Systems) kutokana na sifa zao bora za dielectric na uwezo wa kuhimili hali mbaya ya uendeshaji. Kaki ya Kuunganisha ya LiNbO3 ya Semicera imeundwa ili kusaidia uunganishaji wa tabaka sahihi, kuimarisha utendaji wa jumla na kutegemewa kwa vifaa vya semicondukta.

Mali ya joto na umeme ya LiNbO3
Kiwango myeyuko	1250 ℃
Hali ya joto ya Curie	1140 ℃
Conductivity ya joto	38 W/m/K @ 25 ℃
Mgawo wa upanuzi wa joto (@ 25°C)	//a, 2.0×10^-6/K //c, 2.2×10^-6/K
Upinzani	2×10^-6Ω·cm @ 200 ℃
Dielectric mara kwa mara	εS11/ε0=43, εT11/ε0=78 εS33/ε0=28, εT33/ε0= 2
Piezoelectric mara kwa mara	D₂₂=2.04×10^-11C/N D₃₃=19.22×10^-11C/N
Mgawo wa elektro-optic	γT₃₃=32 pm/V, γS₃₃=31 pm/V, γT₃₁=10 jioni/V, γS₃₁=8.6 pm/V, γT₂₂=6.8 pm/V, γS₂₂=3.4 usiku/V,
Voltage ya nusu-wimbi, DC Shamba la umeme // z, mwanga ⊥ Z; Sehemu ya umeme // x au y, mwanga ⊥ z	3.03 KV 4.02 KV

Iliyoundwa kwa kutumia vifaa vya ubora wa juu, Kaki ya Kuunganisha ya LiNbO3 inahakikisha kuegemea thabiti hata chini ya hali mbaya. Uthabiti wake wa hali ya juu wa joto huifanya kufaa hasa kwa mazingira yanayohusisha halijoto ya juu, kama vile yale yanayopatikana katika michakato ya semiconductor epitaksi. Zaidi ya hayo, usafi wa hali ya juu wa kaki huhakikisha uchafuzi mdogo, na kuifanya kuwa chaguo la kuaminika kwa programu muhimu za semiconductor.

Katika Semicera, tumejitolea kutoa suluhisho zinazoongoza katika tasnia. Kaki yetu ya Kuunganisha ya LiNbO3 inatoa uimara usio na kifani na uwezo wa utendakazi wa hali ya juu kwa programu zinazohitaji usafi wa hali ya juu, ukinzani wa uvaaji, na uthabiti wa joto. Iwe ni kwa ajili ya uzalishaji wa hali ya juu wa semiconductor au teknolojia nyingine maalumu, kaki hii hutumika kama sehemu muhimu ya utengenezaji wa kifaa cha kisasa.