Trei ya kupachika ya LED Silicon Carbide inayostahimili joto ya juu na kutu (trei ya kupachika ya ICP)

Trei ya kupachika ya Silicon Carbide ya LED yenye uwezo wa kustahimili joto la juu na kutu (trei ya kuweka alama ya ICP) Picha Iliyoangaziwa

Maelezo Fupi:

Semicera Energy Technology Co., Ltd ni muuzaji anayeongoza aliyebobea kwa kaki na vifaa vya matumizi vya hali ya juu vya semiconductor.Tumejitolea kutoa bidhaa za hali ya juu, za kuaminika, na za ubunifu kwa utengenezaji wa semiconductor,sekta ya photovoltaicna nyanja zingine zinazohusiana.

Laini ya bidhaa zetu ni pamoja na bidhaa za grafiti zilizopakwa za SiC/TaC na bidhaa za kauri, zinazojumuisha vifaa mbalimbali kama vile silicon carbudi, nitridi ya silicon, na oksidi ya alumini na nk.

Kama msambazaji anayeaminika, tunaelewa umuhimu wa bidhaa za matumizi katika mchakato wa utengenezaji, na tumejitolea kutoa bidhaa zinazokidhi viwango vya ubora wa juu zaidi ili kutimiza mahitaji ya wateja wetu.

Tutumie barua pepe

Maelezo ya Bidhaa

Lebo za Bidhaa

Maelezo ya Bidhaa

Kampuni yetu hutoa huduma za mchakato wa mipako ya SiC kwa njia ya CVD kwenye uso wa grafiti, keramik na vifaa vingine, ili gesi maalum zilizo na kaboni na silicon kuguswa kwenye joto la juu ili kupata molekuli za SiC za usafi wa juu, molekuli zilizowekwa kwenye uso wa nyenzo zilizofunikwa, kutengeneza safu ya kinga ya SIC.

Vipengele kuu:

1. Upinzani wa oksidi ya joto la juu:

upinzani wa oksidi bado ni mzuri sana wakati halijoto ni ya juu kama 1600 C.

2. Usafi wa juu : hutengenezwa na utuaji wa mvuke wa kemikali chini ya hali ya klorini ya joto la juu.

3. Upinzani wa mmomonyoko wa udongo: ugumu wa juu, uso wa compact, chembe nzuri.

4. Upinzani wa kutu: asidi, alkali, chumvi na vitendanishi vya kikaboni.

1111111斯蒂芬森

Graphite Rigid Ilihisi Kwa Tanuru ya Utupu

1111111111111111

Maelezo kuu ya mipako ya CVD-SIC

SiC-CVD Sifa
Muundo wa Kioo	FCC awamu ya β
Msongamano	g/cm³	3.21
Ugumu	Ugumu wa Vickers	2500
Ukubwa wa Nafaka	μm	2 ~ 10
Usafi wa Kemikali	%	99.99995
Uwezo wa joto	J·kg-1 ·K-1	640
Joto la Usablimishaji	℃	2700
Nguvu ya Felexural	MPa (RT-pointi 4)	415
Modulus ya Vijana	Gpa (bend 4, 1300 ℃)	430
Upanuzi wa Joto (CTE)	10-6K-1	4.5
Conductivity ya joto	(W/mK)	300