Vipengele vya Kupasha joto kwa Substrate ya MOCVD

Vipengee vya Kupasha joto kwa Picha Iliyoangaziwa ya Sehemu Ndogo ya MOCVD

Maelezo Fupi:

Semicera Energy Technology Co., Ltd. ni muuzaji mkuu wa keramik za hali ya juu za semiconductor na mtengenezaji pekee nchini China anayeweza kutoa kauri ya silicon ya usafi wa hali ya juu (hasaImefanywa upya SiC) na mipako ya CVD SiC. Kwa kuongezea, kampuni yetu pia imejitolea katika nyanja za kauri kama vile alumina, nitridi ya alumini, zirconia, na nitridi ya silicon, nk.

Tutumie barua pepe

Maelezo ya Bidhaa

Lebo za Bidhaa

Vipengele kuu vya hita ya grafiti:

1. sare ya muundo wa joto.

2. conductivity nzuri ya umeme na mzigo mkubwa wa umeme.

3. upinzani wa kutu.

4. inoxidizability.

5. usafi wa juu wa kemikali.

6. nguvu ya juu ya mitambo.

Faida ni ufanisi wa nishati, thamani ya juu na matengenezo ya chini. Tunaweza kuzalisha kupambana na oxidation na maisha marefu span grafiti crucible, grafiti mold na sehemu zote za heater grafiti.

Vipengee vya MOCVD-Substrate-Heater-Heating-For-MOCVD3-300x300

Vigezo kuu vya heater ya grafiti

Uainishaji wa Kiufundi	Semicera-M3
Uzito Wingi (g/cm3)	≥1.85
Maudhui ya Majivu (PPM)	≤500
Ugumu wa Pwani	≥45
Upinzani Mahususi (μ.Ω.m)	≤12
Nguvu ya Flexural (Mpa)	≥40
Nguvu ya Kugandamiza (Mpa)	≥70
Max. Ukubwa wa Nafaka (μm)	≤43
Mgawo wa Upanuzi wa Joto Mm/°C	≤4.4*10-6