Vipande 19 vya sehemu za vifaa vya 2 inch grafiti msingi MOCVD

Vipande 19 vya sehemu za vifaa vya inchi 2 za grafiti za MOCVD Iliyoangaziwa

Maelezo Fupi:

Utangulizi wa bidhaa na matumizi: Weka vipande 19 vya substrate ya muda 2 kwa ukuaji wa filamu ya epitaxial ya ultraviolet LED.

Eneo la kifaa cha bidhaa: kwenye chumba cha majibu, kwa kuwasiliana moja kwa moja na kaki

Bidhaa kuu za chini: Chips za LED

Soko kuu la mwisho: LED

Tutumie barua pepe

Maelezo ya Bidhaa

Lebo za Bidhaa

Maelezo

Kampuni yetu hutoaMipako ya SiCmchakato wa huduma kwa njia ya CVD juu ya uso wa grafiti, keramik na vifaa vingine, ili gesi maalum zenye kaboni na silicon kuguswa katika joto la juu ili kupata usafi wa juu wa molekuli za SiC, molekuli zilizowekwa juu ya uso wa vifaa coated, na kutengeneza.Safu ya kinga ya SiC.

Sifa Kuu

1. Upinzani wa oksidi ya joto la juu:
upinzani wa oksidi bado ni mzuri sana wakati halijoto ni ya juu kama 1600 C.
2. Usafi wa hali ya juu: hufanywa na uwekaji wa mvuke wa kemikali chini ya hali ya joto ya juu ya klorini.
3. Upinzani wa mmomonyoko wa udongo: ugumu wa juu, uso wa compact, chembe nzuri.
4. Upinzani wa kutu: asidi, alkali, chumvi na vitendanishi vya kikaboni.

Maelezo kuu ya mipako ya CVD-SIC

SiC-CVD Sifa
Muundo wa Kioo	FCC awamu ya β
Msongamano	g/cm³	3.21
Ugumu	Ugumu wa Vickers	2500
Ukubwa wa Nafaka	μm	2 ~ 10
Usafi wa Kemikali	%	99.99995
Uwezo wa joto	J·kg-1 ·K-1	640
Joto la Usablimishaji	℃	2700
Nguvu ya Felexural	MPa (RT-pointi 4)	415
Modulus ya Vijana	Gpa (bend 4, 1300 ℃)	430
Upanuzi wa Joto (CTE)	10-6K-1	4.5
Conductivity ya joto	(W/mK)	300